首頁 ? IGBT器件? IGBT單管

揚(yáng)杰IGBT單管產(chǎn)品系列

產(chǎn)品參數(shù): 產(chǎn)品選型報(bào)價(jià)送樣咨詢請(qǐng)電話聯(lián)系聯(lián)系人：曾先生 153-3800-0102

產(chǎn)品詳情

揚(yáng)杰IGBT單管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
DGB15N65CTL0	TO-263	650	15	1.4	0.65	1.35
DGB20N65CTL0	TO-263	650	20	1.6	0.83	1.25
DGF10N65CTL0	TO-220F	650	10	1.4	0.71	4.8
DGF15N65CTL0	TO-220F	650	15	1.4	0.65	4.4
DGF20N65CTL0	TO-220F	650	20	1.6	0.83	4
DGL50N120CTL0D	TO-264	1200	50	1.8	11.64	0.3
DGL75N120CTL1J	TO-264	1200	75	1.6	22.6	0.27
DGP10N65CTL0	TO-220	650	10	1.4	0.71	1.5
DGP15N65CTL0	TO-220	650	15	1.4	0.65	1.35
DGP20N65CTL0	TO-220	650	20	1.6	0.83	1.25
DGQ100N65CTL1D	TO 247 plus	650	100	1.25	7.2	0.35
DGQ100N65CTS1D	TO 247 plus	650	100	1.35	5.5	0.35
DGQ160N65CTL1D	TO 247 plus	650	160	1.7	18.5	0.17
DGQ75N120CTH0D	TO 247 plus	1200	75	2	15	0.2
DGQ75N120CTH1B	TO 247 plus	1200	75	2.1	11.7	0.25
DGQ75N120CTL0D	TO 247 plus	1200	75	1.85	15.9	0.2
DGW100N65CTL1D	TO-247	650	100	1.25	7.2	0.35
DGW100N65CTS1D	TO-247	650	100	1.35	5.5	0.35
DGW10N120CTL	TO-247	1200	10	1.85	2.23	0.95
DGW15N120CTL	TO-247	1200	15	1.90	3.95	0.75
DGW15N120CTL0B	TO-247	1200	15	1.8	3.64	0.78
DGW20N65CTL0	TO-247	650	20	1.6	0.83	1.25
DGW25N120CTL	TO-247	1200	25	1.85	4.6	0.46
DGW30N65BTH	TO-247	650	30	1.95	1.75	0.8
DGW30N65CTH	TO-247	650	30	1.95	1.75	0.8
DGW30N65CTL	TO-247	650	30	1.85	1.71	0.8
DGW40N120CTH1A	TO-247	1200	40	1.85	7.2	0.4
DGW40N120CTL	TO-247	1200	40	1.85	8.1	0.35
DGW40N120CTL0D	TO-247	1200	40	1.75	8.62	0.3
DGW40N120CTL1A	TO-247	1200	40	1.7	7.8	0.4
DGW40N65BTH	TO-247	650	40	1.95	2.4	0.6
DGW40N65CTH	TO-247	650	40	1.95	2.45	0.49
DGW40N65CTL	TO-247	650	40	1.8	1.95	0.6
DGW40N65CTL0	TO-247	650	40	1.55	1.86	0.8
DGW50N65BTH	TO-247	650	50	1.95	3.24	0.5
DGW50N65CTH	TO-247	650	50	1.95	3.24	0.5
DGW50N65CTH2A	TO-247	650	50	1.6	2.56	0.53
DGW50N65CTL0	TO-247	650	50	1.7	2.26	0.7
DGW50N65CTS2A	TO-247	650	50	1.4	2.69	0.53
DGW60N65BTH	TO-247	650	60	2.1	4.27	0.45
DGW75N65CTH2A	TO-247	650	75	1.65	4.37	0.35
DGW75N65CTS2A	TO-247	650	75	1.45	4.64	0.35
DGZ50N65CTH2A	TO-247-4L	650	50	1.6	2.56	0.53
DGZ50N65CTS2A	TO-247-4L	650	50	1.4	2.69	0.53
DGZ75N65CTH2A	TO-247-4L	650	75	1.65	3.59	0.35
DGZ75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35
DGZC75N65CTH2A	TO-247-4L	650	75	1.65	3.59	0.35
DGZC75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35

揚(yáng)杰IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了雙極型（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）的特性。

IGBT單管在現(xiàn)代電力電子和功率電子領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用，因?yàn)樗哂懈咝省⒏咚俣群透吖β拭芏鹊葍?yōu)點(diǎn)。

IGBT單管的核心是一個(gè)PNP結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管，其控制端有一個(gè)與之隔絕的柵極。這個(gè)柵極可以通過施加電壓來控制電流的流動(dòng)，

從而實(shí)現(xiàn)對(duì)器件的開關(guān)控制。因?yàn)闁艠O與電流隔離，所以它具有場效應(yīng)晶體管的高輸入阻抗特性，同時(shí)也具有雙極型晶體管的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

IGBT單管的主要優(yōu)點(diǎn)包括：

高效率：IGBT單管的導(dǎo)通壓降較低，因此能夠減少功率損耗，提高系統(tǒng)的效率。
高速度：由于具有FET的控制特性，IGBT單管的開關(guān)速度較快，適用于高頻應(yīng)用。
高功率密度：IGBT單管具有較高的功率密度，可以實(shí)現(xiàn)在小尺寸器件中傳輸大功率。
可靠性高：相對(duì)于其他功率器件，IGBT單管具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，適用于各種工作環(huán)境。

總的來說，IGBT單管在工業(yè)、交通、能源等領(lǐng)域扮演著重要的角色，為各種功率電子應(yīng)用提供了高效、可靠的解決方案。

分享到：

上一篇：沒有了

下一篇：東微TGBT單管產(chǎn)品系列

推薦新聞

碳化硅二極管的介紹 2023-04-23

揚(yáng)杰IGBT單管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
DGB15N65CTL0	TO-263	650	15	1.4	0.65	1.35
DGB20N65CTL0	TO-263	650	20	1.6	0.83	1.25
DGF10N65CTL0	TO-220F	650	10	1.4	0.71	4.8
DGF15N65CTL0	TO-220F	650	15	1.4	0.65	4.4
DGF20N65CTL0	TO-220F	650	20	1.6	0.83	4
DGL50N120CTL0D	TO-264	1200	50	1.8	11.64	0.3
DGL75N120CTL1J	TO-264	1200	75	1.6	22.6	0.27
DGP10N65CTL0	TO-220	650	10	1.4	0.71	1.5
DGP15N65CTL0	TO-220	650	15	1.4	0.65	1.35
DGP20N65CTL0	TO-220	650	20	1.6	0.83	1.25
DGQ100N65CTL1D	TO 247 plus	650	100	1.25	7.2	0.35
DGQ100N65CTS1D	TO 247 plus	650	100	1.35	5.5	0.35
DGQ160N65CTL1D	TO 247 plus	650	160	1.7	18.5	0.17
DGQ75N120CTH0D	TO 247 plus	1200	75	2	15	0.2
DGQ75N120CTH1B	TO 247 plus	1200	75	2.1	11.7	0.25
DGQ75N120CTL0D	TO 247 plus	1200	75	1.85	15.9	0.2
DGW100N65CTL1D	TO-247	650	100	1.25	7.2	0.35
DGW100N65CTS1D	TO-247	650	100	1.35	5.5	0.35
DGW10N120CTL	TO-247	1200	10	1.85	2.23	0.95
DGW15N120CTL	TO-247	1200	15	1.90	3.95	0.75
DGW15N120CTL0B	TO-247	1200	15	1.8	3.64	0.78
DGW20N65CTL0	TO-247	650	20	1.6	0.83	1.25
DGW25N120CTL	TO-247	1200	25	1.85	4.6	0.46
DGW30N65BTH	TO-247	650	30	1.95	1.75	0.8
DGW30N65CTH	TO-247	650	30	1.95	1.75	0.8
DGW30N65CTL	TO-247	650	30	1.85	1.71	0.8
DGW40N120CTH1A	TO-247	1200	40	1.85	7.2	0.4
DGW40N120CTL	TO-247	1200	40	1.85	8.1	0.35
DGW40N120CTL0D	TO-247	1200	40	1.75	8.62	0.3
DGW40N120CTL1A	TO-247	1200	40	1.7	7.8	0.4
DGW40N65BTH	TO-247	650	40	1.95	2.4	0.6
DGW40N65CTH	TO-247	650	40	1.95	2.45	0.49
DGW40N65CTL	TO-247	650	40	1.8	1.95	0.6
DGW40N65CTL0	TO-247	650	40	1.55	1.86	0.8
DGW50N65BTH	TO-247	650	50	1.95	3.24	0.5
DGW50N65CTH	TO-247	650	50	1.95	3.24	0.5
DGW50N65CTH2A	TO-247	650	50	1.6	2.56	0.53
DGW50N65CTL0	TO-247	650	50	1.7	2.26	0.7
DGW50N65CTS2A	TO-247	650	50	1.4	2.69	0.53
DGW60N65BTH	TO-247	650	60	2.1	4.27	0.45
DGW75N65CTH2A	TO-247	650	75	1.65	4.37	0.35
DGW75N65CTS2A	TO-247	650	75	1.45	4.64	0.35
DGZ50N65CTH2A	TO-247-4L	650	50	1.6	2.56	0.53
DGZ50N65CTS2A	TO-247-4L	650	50	1.4	2.69	0.53
DGZ75N65CTH2A	TO-247-4L	650	75	1.65	3.59	0.35
DGZ75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35
DGZC75N65CTH2A	TO-247-4L	650	75	1.65	3.59	0.35
DGZC75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35

揚(yáng)杰IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了雙極型（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）的特性。

IGBT單管在現(xiàn)代電力電子和功率電子領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用，因?yàn)樗哂懈咝省⒏咚俣群透吖β拭芏鹊葍?yōu)點(diǎn)。

IGBT單管的主要優(yōu)點(diǎn)包括：

高效率：IGBT單管的導(dǎo)通壓降較低，因此能夠減少功率損耗，提高系統(tǒng)的效率。
高速度：由于具有FET的控制特性，IGBT單管的開關(guān)速度較快，適用于高頻應(yīng)用。
高功率密度：IGBT單管具有較高的功率密度，可以實(shí)現(xiàn)在小尺寸器件中傳輸大功率。
可靠性高：相對(duì)于其他功率器件，IGBT單管具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，適用于各種工作環(huán)境。

總的來說，IGBT單管在工業(yè)、交通、能源等領(lǐng)域扮演著重要的角色，為各種功率電子應(yīng)用提供了高效、可靠的解決方案。

分享到：

上一篇：沒有了

下一篇：東微TGBT單管產(chǎn)品系列

跟此產(chǎn)品相關(guān)的產(chǎn)品

: 東微TGBT單管產(chǎn)品系列

91?清视频_性生交大片免费看_无码熟妇αⅴ人妻又粗又大_亚洲精选av_日韩女同一区_日韩欧美一起

首頁 ? IGBT器件? IGBT單管

揚(yáng)杰IGBT單管產(chǎn)品系列

產(chǎn)品詳情

推薦新聞

名稱：揚(yáng)杰IGBT單管產(chǎn)品系列

產(chǎn)品詳情