Semihow HCA60R070F MOSFET 參數(shù)詳解

一、基礎(chǔ)參數(shù)概覽

1. 電壓與電流特性

   • 漏源電壓（VDS）：600V

   • 漏極電流（ID）：42A（@25℃）

   • 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：70mΩ

   • 柵源電壓范圍（VGS）：2.5V（最小值）至5V（最大值）

   • 最大功耗（PD）：272W（@25℃）

2. 封裝形式

   • 封裝類型：TO-247

二、核心技術(shù)與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

1. 超結(jié)（Super Junction）技術(shù)

   • HCA60R070F 采用 超結(jié)（SJ）結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)平面MOSFET，在高壓場(chǎng)景下顯著降低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率 。

   • 適用場(chǎng)景：高效率電源轉(zhuǎn)換（如開(kāi)關(guān)電源、充電器）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高壓高頻應(yīng)用 。

2. 晶圓與制造工藝

   • 晶圓由 三星代工生產(chǎn)，結(jié)合Semihow的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，優(yōu)化了器件性能和可靠性 。

三、關(guān)鍵性能優(yōu)勢(shì)

1. 低導(dǎo)通損耗

   • 70mΩ的低RDS(on)值在高壓應(yīng)用中減少導(dǎo)通損耗，尤其適合高功率密度的緊湊型設(shè)計(jì) 。

2. 溫升控制

   • 優(yōu)異的散熱性能使其在35-65W小體積PD充電器中表現(xiàn)突出，溫升控制優(yōu)于同類平面MOSFET 。

3. 快速反向恢復(fù)（Fast TRR）

   • 搜索結(jié)果中提及 快速反向恢復(fù)特性（Fast TRR），可降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗，提升系統(tǒng)整體效率 。

四、典型應(yīng)用場(chǎng)景

1. 電源系統(tǒng)

   • 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、高效率多形態(tài)電源（如PD快充適配器） 。

2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

   • 工業(yè)電機(jī)控制、電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)模塊 。

3. 其他領(lǐng)域

   • 汽車電子（如LED照明系統(tǒng)）、消費(fèi)類電子設(shè)備的高壓電源管理 。

五、廠商與供應(yīng)鏈信息

• 制造商：Semihow（韓國(guó)功率半導(dǎo)體公司，成立于2002年） 。

• 代理商：東莞市美瑞電子有限公司

六、注意事項(xiàng)

• 柵極驅(qū)動(dòng)要求：需確保VGS在2.5-5V范圍內(nèi)，避免過(guò)壓損壞 。

• 散熱設(shè)計(jì)：TO-247封裝需配合適當(dāng)散熱方案以發(fā)揮最大功耗能力 。