碳化硅二極管和快恢復(fù)二極管在材料構(gòu)成、性能特點、應(yīng)用場景和成本等方面均存在顯著差異。在選擇使用時，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求和成本考慮來做出合理的選擇。
2024-08-23碳化硅二極管具有無反向恢復(fù)的特性，相比傳統(tǒng)快恢復(fù)二極管能夠顯著減小開關(guān)損耗，提高電源的整體能效。泰科天潤碳化硅二極管作為半導(dǎo)體功率器件的重要組成部分，以其出色的性能在快充、電源管理、電機驅(qū)動等多個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)..
2024-08-23SGBJ系列三相橋式整流橋堆以其高效整流能力、高耐壓與大電流、高浪涌電流承受能力、寬溫度工作范圍、低功耗設(shè)計、薄型單列直插封裝、高品質(zhì)與可靠性以及廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域等特點在電力電子設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)了重要地位。
2024-08-22由于晶圓制造和電路設(shè)計的復(fù)雜性，即使在同一批次的整流橋堆中，不同晶圓對浪涌電流的抵抗能力也可能存在差異。這種個體差異和隨機性也是導(dǎo)致有的晶圓出現(xiàn)裂痕而有的晶圓未出現(xiàn)裂痕的原因之一。
2024-08-20Semihow產(chǎn)品的主要優(yōu)勢體現(xiàn)在技術(shù)實力、產(chǎn)品線豐富性、性能優(yōu)勢、市場影響力與合作以及技術(shù)支持與服務(wù)等多個方面。這些優(yōu)勢共同構(gòu)成了Semihow在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢。
2024-08-20功率器件代理商，美瑞電子的產(chǎn)品涵蓋IGBT單管和IGBT模塊，以滿足高功率和高集成度的應(yīng)用需求。
2024-08-20上海維安的 MOS 管 WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 和 WMJ90N65SR 憑借其優(yōu)異的性能、可靠的質(zhì)量和多樣化的選擇。
2024-08-16提升MOSFET的功率密度，是MOSFET從業(yè)者孜孜不倦的追求。揚杰科技 TO-Leadless（TOLL)MOSFET封裝經(jīng)過優(yōu)化，可處理高達(dá) 280A的電流，在大幅減少占 用空間的同時提高功率密度
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