整流橋堆產品是由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣塑料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強散熱。整流橋品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結構之分。最大整流電..
2021-02-23半導體封測大廠日月光投控受惠接單暢旺，業內人士指出訂單能見度已經看到第3季，預估今年獲利可超過新臺幣300億元創新高。蘋果5G版iPhone出貨強勁，日月光投控持續受惠相關芯片封測和芯片模組系統級封裝（SiP）..
2021-02-03目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體受到廣泛的關注，人們對SiC在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場合，以及GaN在快充領域的應用前景寄予厚望，學術界、投資界和產業界都認可其將..
2021-02-03虹揚推出39A650V，70A650VN溝道MOSFET
2021-01-19虹揚一級代理商：東莞市美瑞電子有限公司為您介紹橋堆：全橋由四只二極管組成，有四個引出腳。兩只二極管負極的連接點是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點是全橋直流輸出端的“負極”。貼片橋堆的推出背景：隨..
2021-01-04一、mos雪崩失效分析(電壓故障) 什么是mos雪崩失效？簡而言之，雪崩故障(電壓故障)，即我們常說的泄漏源之間的BVdss電壓超過mos的額定電壓，超過一定的能力，mos故障。mos在電源板上由母線電壓..
2020-12-26為支持園區重點項目建設，2018年，和懋半導體（四川）有限公司（統懋半導體四川生產公司）與遂寧經開區光電產業園園區簽訂搬遷協議，整廠搬遷至西寧片區臺商工業園，并投資新項目。2020年2月8日，該項目正式進場施工..
2020-12-23mos管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但在一般運用中，飽和泄漏電流IDSS切斷電壓Up，打開電壓UT、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、極限消耗散功率PDSM和極限泄漏源電流IDSM。 一、..
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