IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),中文名為絕緣柵雙極型晶體管,是一種結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)特性的高壓、高功率電子器件。它具備MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低飽和壓降兩方面的優點,因此在高功率應用中具有更好的開關性能和更低的功率損耗。IGBT主要由發射區(P+)、集電區(N-)、漂移區(N+)和柵極區(P)四個主要區域組成,這些區域共同構成了一個PNPN的疊層結構。
IGBT的主要特點包括:
高電流密度:IGBT的電流密度遠大于MOSFET,使其在高功率應用中具有出色的性能。
高輸入阻抗與低驅動功率:IGBT的輸入阻抗高,柵驅動功率極小,這意味著驅動電路可以設計得相對簡單,降低了系統的復雜性。
低導通電阻:在給定尺寸和條件下,IGBT的導通電阻相對較小,有助于減少功率損耗。
高擊穿電壓與寬安全工作區:IGBT的擊穿電壓高,安全工作區大,保證了系統的穩定性。
快速開關特性:IGBT的開關速度快,關斷時間短,提高了系統的效率。
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IGBT芯片:作為IGBT的基本單元,具有特定的電氣性能和應用特性。
IGBT模塊:將多個IGBT芯片和其他相關元件(如快速恢復二極管FRD)集成在一個模塊中,以滿足高功率和高集成度的應用需求。
智能功率模塊(IPM):一種高度集成的功率電子系統,其中包含IGBT、驅動電路和保護電路等,為電力電子設備提供完整的功率轉換和控制解決方案。
IGBT因其優異的性能被廣泛應用于多個領域,包括:
新能源:如光伏、風電設備中的整流器和逆變器。
電動汽車:作為電動汽車及充電樁等設備的核心技術部件,用于電動控制系統和車載空調控制系統。
軌道交通:作為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。
智能電網:在發電、輸電、變電及用電端都有廣泛應用。
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