產品介紹揚杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，產品采用深溝槽技術與多層外延技術制造，具有較低的導通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，可以支持更高頻率與動態響應,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。產品特點
1.采用深溝槽與多層外延技術, MOS的內阻低，開關特性優；
2.采用TOLL封裝、TO-247封裝，適用于大功率應用；
3.UIS能力強, Qg與Rds參數更優，可以支持更高頻率與動態響應
型號
YJN48C60HJ JYJT33C60HJ
產品介紹揚杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，產品采用深溝槽技術與多層外延技術制造，具有較低的導通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，可以支持更高頻率與動態響應,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。產品特點
1.采用深溝槽與多層外延技術, MOS的內阻低，開關特性優；
2.采用TOLL封裝、TO-247封裝，適用于大功率應用；
3.UIS能力強, Qg與Rds參數更優，可以支持更高頻率與動態響應
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YJN48C60HJ JYJT33C60HJ
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總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經營產品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS管
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