碳化硅早在1842年就被發覺了，但因其制取時的加工工藝難度系數大，而且元器件的產出率低，造成了價錢較高，這危害了它的運用。直至1955年，生長發育高質量碳化硅的方式出現推動了
碳化硅二極管原材料的發展趨勢，在航空航天、航空公司、雷達探測和核能發電開發設計的行業獲得運用。80年代，產品化生產制造的SiC進到銷售市場，并運用于原油地暖的勘查、變頻空調的開發設計、平板電視機的運用及其太陽能發電轉換的行業。
碳化硅二極管的出現極大地改進了集成電路工藝的特性，考慮社會經濟和國防建設的必須，現階段，英國、法國、德國、日本國等資本主義國家正爭相資金投入重金對碳化硅原材料和元器件開展科學研究。美國防部從二十世紀90年代就剛開始適用碳化硅電力電子器件的科學研究，在1991年就取得成功科學研究出了阻隔工作電壓為400V的肖特基二極管。
碳化硅二極管于二十一世紀初變成第一例社會化的碳化硅電力工程電子元器件。英國Semisouth企業研發的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作中）早已用在英國皇家空軍多電飛機場。由碳化硅SBD組成的功率模塊可在高溫、髙壓、強輻射源等極端標準下應用。現階段反方向阻隔工作電壓達到1200V的產品系列，其額定電壓可做到20A。碳化硅SBD的產品研發早已做到髙壓元器件的水準，其阻隔工作電壓超出10000V，大電流量元器件通態電流量達130A的水準。
碳化硅二極管的擊穿場強很高，電源開關速率迅速，凈重很輕，而且容積不大，它在3KV之上的鎮流器主要用途更為具備優點。2001年Cree企業研發出19.5KV的櫥柜臺面PiN二極管，同一階段日本國的Sugawara調研室也科學研究出了12KV的櫥柜臺面PiN二極管。2006年Cree企業報導了10KV、3.75V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管系列產品的達標率早已做到40%。
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