碳化硅二極管比PN結元器件的個人行為特點更像一個理想化的電源開關。肖特基二極管最重要的2個性能參數便是它的低反向恢復正電荷(Qrr)和它的修復軟化系數。低Qrr在二極管工作電壓換為反方向參考點時，關掉過程中所需時間，即反向恢復時間trr大大縮短。下列列出肖特基二極管trr低于0.01彼此之間。有利于用以高頻率范疇，有材料詳細介紹其輸出功率達到1MHz(也是有報導達到100GHz)。高軟化系數會降低二極管關掉所造成的EMI噪音，減少調速實際操作影響。

　　碳化硅二極管還有一個比PN結元器件優異的指標值是正指導接電源放低，具備低的通斷耗損。碳化硅二極管也是有2個缺陷，一是反方向抗壓VR較低，一般僅有100V上下;二是反方向泄露電流IR很大。

　　碳化硅二極管是貴重金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正級，以N型半導體B為負級，運用二者表面上產生的勢壘具備整流器特點而做成的金屬材料-半導體元器件。由于N型半導體中存有著很多的電子器件，貴重金屬中僅有少量的自由電荷，因此 電子器件便從濃度值高的B中往濃度值低的A中外擴散。顯而易見，金屬材料A中沒有空化，也就不會有空化自A向B的外擴散健身運動。伴隨著電子器件持續從B外擴散到A，B表層電子器件濃度值慢慢減少，表層電荷平衡被毀壞，因此就產生勢壘，其電場方向為B→A。但在該靜電場功效之中，A中的電子器件也會造成從A→B的飄移健身運動，進而消弱了因為外擴散健身運動而產生的靜電場。當創建起一定總寬的空間電荷區后，靜電場造成的電子器件飄移健身運動和濃度值不一樣造成的電子器件外擴散健身運動做到相對性的均衡，便產生了肖特基勢壘。

　　典型性的肖特基整流管的內部電源電路構造是以N型半導體為襯底，在上面產生用砷作摻雜劑的N-外延性層。陽極氧化應用鉬或鋁等原材料做成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來清除邊沿地區的靜電場，提升水管的抗壓值。N型襯底具備不大的通態電阻器，其夾雜濃度值較H-層要高100%倍。在襯底下面產生N+負極層，其功效是減少負極的回路電阻。根據優化結構主要參數，N型襯底和陽極氧化金屬材料中間便產生肖特基勢壘，如下圖所示。當在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓（陽極氧化金屬材料插線正級，N型襯底插線負級）時，肖特基勢壘層變小，其內電阻縮小；相反，若在肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時，肖特基勢壘層則變大，其內電阻增大。

　　上述所講解的就是碳化硅二極管與肖特基整流管的原理區別，希望看完能夠對您有所幫助，如果您想要了解更多關于碳化硅二極管的相關信息的話，歡迎在線咨詢客服或是撥打本公司服務熱線（網站右上角）進行咨詢，我們將竭誠為您提供優質的服務！