碳化硅二極管是一種適用于功率半導體的革命性材料，其物理屬性遠遠優于硅功率器件。重要特點包含榜樣性的電源開關特性、沒有反向恢復電流量、溫度基本上不容易危害電源開關個人行為和規范操作溫度范疇為-55℃至175℃。碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）的器件選用了斷勢壘肖特基二極管構造（JBS），能夠合理減少反方向泄露電流，具有更強的耐髙壓工作能力。

　　碳化硅二極管是一種單極型器件，因而對比于傳統式的硅快修復二極管（SiFRD），碳化硅二極管具備理想化的反向恢復特點。在器件從正指導通往反方向阻隔變換時，基本上沒有反向恢復電，反向恢復時間低于20ns，乃至600V10A的碳化硅二極管的反向恢復時間在10ns之內。因而碳化硅二極管能夠工作中在高些的頻率，在同樣頻率下具備高些的高效率。另一個關鍵的特性是碳化硅二極管具備正的溫度系數，伴隨著溫度的升高電阻器也慢慢升高，這與硅FRD恰好反過來。這促使碳化硅二極管特別適合串聯好用，提升了系統軟件的安全系數和可信性。

　　碳化硅二極管是髙壓迅速與低輸出功率耗損、耐熱緊密結合的理想化器件。現階段國際性上陸續研制水準較高的多類型的碳化硅器件。SICSBD做為零修復二極管，對高頻率輸出功率電源電路有非常大改進。碳化硅二極管與眾不同的高溫特點使其在高溫自然環境的輸出功率運用中具備潛在性優點。碳化硅二極管因髙速trr而使開關損耗減少，加上VF的改進，在輸出功率二極管中能夠說成耗損最少的二極管。碳化硅二極管因VF減少，而完成更低通斷耗損。順向特點數據圖表的鮮紅色波型是第一代SiC-SBD，深藍色是第二代，可確定VF的減少。

　　碳化硅二極管的各類性能指標均優于一般雙極二極管技術性。碳化硅二極管通斷與關閉情況的變換速率十分快，并且沒有一般雙極二極管技術性電源開關時的反向恢復電流量。在清除反向恢復電流量效用后，碳化硅二極管的耗能減少70%，可以在寬溫度范圍內維持高能耗等級，并提升設計方案工作人員優化軟件輸出功率的協調能力。

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