肖特基二極管是以其發明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。那么下來帶大家了解一下肖特基二極管的原理。
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用兩者接觸面上形成的勢壘具有整流器特性而做成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電荷，所以電子便從濃度值高的B中向濃度值低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不會有空穴自A向B的擴散運動。
隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度值慢慢降低，表面電中性被破壞，因此就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用下，A中的電子也會產生從A→B的飄移運動，進而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當創建起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度值不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內部電源電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料做成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來清除邊沿區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度值較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻
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