MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1.根據控制方式選擇使用Pmos或Nmos.

2.在選型時我們最先看的是VDSS最大漏-源電壓 能夠承受的最高的 施加電壓 這個電壓也決定了每次在電路里面選擇它施加的電壓等級，也就是我們常說的VDSS等級 。從成本角度考慮，還需要確定所需的額定電壓，即器件所能承受的最大電壓。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓，一般會留出1.2~1.5倍的電壓余量，這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大電壓會隨溫度變化而變化，設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。此外，設計工程師還需要考慮其他安全因素：如由開關電子設備(常見有電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。另外，不同應用的額定電壓也有所不同；通常便攜式設備選用20V的MOS管，FPGA電源為20～30V的MOS管，85～220V AC因為整流后是310V,再加上反向電壓，MOS管VDS應選為450～700V。

如下圖：

2.連續漏電流 這個電流定義在一個額定的結溫 下 它連續能夠通過的最大 直流電流 這兩個參數就決定了 MOS管的應用場合 所以現在的MOS管的話 我們參數基本上看 連續的漏電流 以及最大的漏源電壓。

3.mos的結電容。這個直接決定你芯片的輸出損耗，如果輸入過大，芯片可能會發熱嚴重。