肖特基二極管（Schottky Diode），也稱肖特基勢壘二極管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)相對獨特，主要由以下部分組成：

一、主要構(gòu)成部分

1. • 肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖通常展示為一個五層器件，從下到上依次為：

   • N+陰極層：這是肖特基二極管的最底層，與陰極金屬相連，用于減小陰極的接觸電阻。

   • N型基片：位于N+陰極層之上，具有較小的通態(tài)電阻，是肖特基二極管中電子傳輸?shù)闹饕ǖ馈?/p>

   • N-外延層：這是N型基片之上的一層，摻雜濃度較低，通常使用砷等雜質(zhì)進行摻雜。

   • 肖特基勢壘層：這是由金屬與N-外延層緊密接觸后形成的特殊區(qū)域。當金屬與N型半導(dǎo)體接觸時，由于兩者的功函數(shù)不同，會在接觸界面處形成電子勢壘，即肖特基勢壘。這個勢壘阻礙了電子從半導(dǎo)體向金屬的流動，同時也限制了反向電流的大小。

   • 陽極金屬：這是肖特基二極管的頂層，通常由金、銀、鋁、鉬等貴金屬制成。陽極金屬與N-外延層之間通過肖特基勢壘相連，形成二極管的整流結(jié)構(gòu)。

二、肖特基勢壘

通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。這是肖特基二極管工作的關(guān)鍵部分。

三、工作原理

1. 正向偏壓：當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)。

2. 反向偏壓：當在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層變寬，其內(nèi)阻變大，二極管處于截止狀態(tài)。

四、工藝結(jié)構(gòu)

肖特基二極管主要有兩種工藝結(jié)構(gòu)：

1. 點接觸結(jié)構(gòu)：用一根尖端細金屬絲與半導(dǎo)體接觸制成，通過機械接觸或用放電工藝得到一個很小的合金結(jié)。

2. 平面接觸結(jié)構(gòu)：具有更大的接觸面積，通常用于需要更高電流容量的應(yīng)用。

五、特點與應(yīng)用

肖特基二極管具有正向?qū)▔航敌。s0.45V）、反向恢復(fù)時間短、開關(guān)損耗小等特點，是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。然而，其反向耐壓值較低，反向漏電流較大，因此適用于低壓、大電流、高頻整流等場合。